로옴, AI 등 고성능 서버용 신규 MOSFET 개발

로옴은 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 MOSFET를 개발했다고 26일 밝혔다.

신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러(HSC) 회로에 최적인 'RS7E200BG (30V)'와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 'RS7N200BH (80V)', 'RS7N160BH (80V)'의 총 3개 기종이다.

(사진=로옴)

DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8 (5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65％ 향상됐다.

이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로, ON 저항 특성을 30V 제품인 'RS7E200BG'는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 'RS7N200BH'는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하여 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다.

또한 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써, 어플리케이션의 신뢰성 확보에 기여하는 SOA 내량도 향상됐다. 특히 30V 제품인 'RS7E200BG'는 SOA 내량이 70A 이상(조건 : 펄스폭=1ms, VDS=12V 시)으로 기존의 HSOP8 패키지 제품에 비해 동일 조건에서 2배 향상됨에 따라, 5.0mm×6.0mm의 패키지 사이즈 기준으로 업계 최고 수준인 높은 SOA 내량을 실현했다.