로옴, 새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)' 공개

로옴은 안정성과 시뮬레이션 속도를 향상시킨 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'을 개발했다고 29일 밝혔다.

파워 반도체의 손실은 시스템 전체의 효율에 큰 영향을 미치기 때문에 설계 단계의 시뮬레이션 검증에 있어서 모델의 정밀도가 매우 중요하다.

기존에 로옴에서 제공해온 SiC MOSFET용 SPICE 모델 'ROHM Level 1 (L1)'은 각 특성의 재현성을 높임으로써 고정밀도 시뮬레이션의 요구에 대응해왔다. 그러나 시뮬레이션의 안정성 및 연산 시간의 단축이라는 과제에 대한 개선이 요구됐다.

새로운 SPICE 모델 'ROHM Level 3 (L3)'(사진=로옴)

새로운 모델 'ROHM Level 3 (L3)'은 심플한 모델 식을 채용함으로써 연산의 안정성과 스위칭 파형의 정밀도를 유지함과 동시에 기존 모델인 L1 대비 시뮬레이션 시간을 약 50％ 단축할 수 있다. 이에 따라 회로 전체의 과도 해석을 단시간에 고정밀도로 실행할 수 있어, 어플리케이션 설계 단계에서의 디바이스 평가 및 손실 확인의 효율화에 기여한다.