인피니언, 300mm GaN 반도체 올 4분기 고객사에 첫 샘플 제공

인피니언테크놀로지스는 확장 가능한 300mm 웨이퍼 기반의 갈륨 나이트라이드(GaN) 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 3일 밝혔다.

전력 시스템 분야를 선도하는 인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN)의 세 가지 주요 반도체 재료를 모두 제공한다. GaN 반도체는 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 전력 손실을 통해 스마트폰 충전기, 산업용 및 휴머노이드 로봇, 태양광 인버터와 같은 전자 기기의 소형화를 가능하게 하며, 에너지 소비와 열 발생을 줄인다.

인피니언은 "올 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공하면서 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 강화할 것"이라고 밝혔다.

(사진=인피니언)

인피니언의 제조 전략은 주로 IDM(종합 반도체 업체) 모델에 기반을 두고 있으며, 이는 설계부터 제조, 최종 제품 판매까지 반도체 생산 공정을 자체적으로 소유하는 것이다.

인피니언의 인하우스 생산 전략은 핵심적인 차별화 요소로, 고품질, 빠른 시장 출시 기간, 우수한 설계, 개발 유연성 등 다양한 이점을 제공한다. 인피니언은 GaN 고객 지원을 위해 최선을 다하고 있으며, 안정적인 GaN 전력 솔루션에 대한 고객의 수요를 충족시키기 위해 생산 용량을 확장할 수 있다.