한미반도체, HBM4용 'TC 본더 4' 양산 개시

한미반도체가 차세대 AI 반도체 핵심 메모리인 HBM4 전용 장비 ‘TC 본더 4(TC BONDER 4)’ 생산을 시작했다고 4일 밝혔다.

‘TC 본더 4’는 지난 5월 프로토 타입(prototype)으로 출시된 새로운 장비로 올해 하반기부터 본격적인 공급에 나선다. 글로벌 HBM 제조 기업들은 올해 하반기 HBM4 양산을 앞두고 있다.

한미반도체 HBM4용 TC 본더4(사진=한미반도체)

한미반도체 ‘TC 본더 4’는 고도의 정밀도를 요구하는 HBM4 특성에 맞춰 이전 제품 대비 정밀도가 대폭 향상됨과 동시에 적층된 HBM의 구조적인 안정성을 높이는데 핵심적인 역할을 한다. 또한 소프트웨어 기능도 업그레이드 돼 사용자의 편의성도 크게 개선됐다.

업계 일각에선 HBM4 생산을 위해서는 차세대 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 그러나 한미반도체는 기존의 TC 본더의 성능을 대폭 업그레이드하고 새로운 본딩 기술을 적용해 HBM4 생산이 가능하도록 개발하는데 성공했다.

또한 TC 본더 4 장비는 고객사 입장에서 플럭스리스와 하이브리드 본더 대비 구매단가를 낮출 수 있어 글로벌 HBM 제조 기업들의 우선적인 선택을 받을 것으로 예상된다.

6세대 고대역폭 메모리인 HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력소모량은 70% 수준으로 낮아져 혁신적인 성능 개선을 구현했다. 최대 16단까지 적층 가능하며, D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다.